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GD20N10

Gem-micro photo

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制造商编号:
GD20N10
制造商:
Gem-micro晶群
系列:
*
描述:
20A 100V N沟道
详细描述:
规格说明书:
GD20N10说明书
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规格参数

属性 属性值
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 20A
功率(Pd) 2.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 68mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.2V@250μA
栅极电荷(Qg@Vgs) 28nC@5V
输入电容(Ciss@Vds) 940pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds) 38pF@50V
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

价格库存

库存
2262
货期
大陆: 1~3天
包装
编带
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥1.4855 ¥1.49
10+ ¥1.223 ¥12.23
30+ ¥1.1105 ¥33.31
100+ ¥0.998 ¥99.80
500+ ¥0.923 ¥461.50
1000+ ¥0.878 ¥878.00

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