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IRF150
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Semelab / TT Electronics |
| 产品种类 | MOSFET |
| 技术 | Si |
| 安装风格 | Through Hole |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4 V |
| Qg-栅极电荷 | 125 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 商标 | Semelab / TT Electronics |
| 配置 | Single |
| 产品类型 | MOSFET |
| 系列 | IRF |
| 子类别 | MOSFETs |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
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