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Y2N655S
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- Y2N655S
- 制造商：
- Silicon Billion硅兆
- 系列：
- *
- 描述：
- 2个N沟道 60V 16.2A
- 详细描述：
- 规格说明书：
- Y2N655S说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 类型 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 16.2A |
| 功率(Pd) | 31.3W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 43mΩ@10V,5A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@10V |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 300pF@30V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 18pF@30V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
价格库存
- 库存
- 0
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- 包装
- 编带
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2.4 | ￥2.40 |
| 10+ | ￥1.96 | ￥19.60 |
| 30+ | ￥1.76 | ￥52.80 |
| 100+ | ￥1.57 | ￥157.00 |
| 500+ | ￥1.44 | ￥720.00 |
| 1000+ | ￥1.37 | ￥1370.00 |
