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STGW60V60DF

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制造商编号:
STGW60V60DF
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 600V 80A 375W TO247
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 80 A 375 W 通孔 TO-247-3
规格说明书:
STGW60V60DF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,60A
功率 - 最大值 375 W
开关能量 750µJ(开),550µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 334 nC
25°C 时 Td(开/关)值 60ns/208ns
测试条件 400V,60A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 74 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥44.777622 ¥44.78
10+ ¥40.243076 ¥402.43
100+ ¥32.970363 ¥3297.04
500+ ¥28.067356 ¥14033.68
1000+ ¥27.914274 ¥27914.27

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