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STF10N80K5
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STF10N80K5
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 800 V 9A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
- 规格说明书：
- STF10N80K5说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 635 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| R6012FNX | Rohm Semiconductor | ¥38.09000 | 类似 |
| R6009ENX | Rohm Semiconductor | ¥24.88000 | 类似 |
| IPA60R600C6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥9.83272 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 918
- 货期
- 大陆：7~10天
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥32.383423 | ￥32.38 |
| 10+ | ￥29.088087 | ￥290.88 |
| 100+ | ￥23.832877 | ￥2383.29 |
| 500+ | ￥20.28887 | ￥10144.43 |
| 1000+ | ￥19.444484 | ￥19444.48 |
