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GS66516T-MR
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- GS66516T-MR
- 制造商：
- GaN Systems
- 系列：
- GS665xx
- 描述：
- MOSFET 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
- 详细描述：
- 规格说明书：
- GS66516T-MR说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | GaN Systems |
| 产品种类 | MOSFET |
| 技术 | GaN-on-Si |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | DIE |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 10 V, + 7 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.1 V |
| Qg-栅极电荷 | 14.2 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | - |
| 通道模式 | Enhancement |
| 商标名 | GaNPX |
| 封装 | Reel |
| 封装 | Cut Tape |
| 封装 | MouseReel |
| 商标 | GaN Systems |
| 配置 | Single |
| 开发套件 | GS665MB-EVB, GS66516T-EVBDB2 |
| 下降时间 | 22 ns |
| 湿度敏感性 | Yes |
| 产品类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 12.4 ns |
| 系列 | GS665xx |
| 子类别 | MOSFETs |
| 晶体管类型 | E-HEMT Power Transistor |
| 典型关闭延迟时间 | 14.9 ns |
| 典型接通延迟时间 | 4.6 ns |
| 标准包装 | 250 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| GS-065-060-3-T-MR | GaN Systems | ¥244.2721 | Reel, Cut Tape |
| GS66516T-E02-MR | GaN Systems |
价格库存
- 库存
- 7227
- 货期
- 大陆：7~10天
- 标准包装
- 250 / PCS
- 包装
- MouseReel
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥343.2371 | ￥343.24 |
| 10+ | ￥320.309559 | ￥3203.10 |
| 25+ | ￥306.926566 | ￥7673.16 |
| 100+ | ￥278.132507 | ￥27813.25 |
| 250+ | ￥278.0523 | ￥69513.07 |
