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EM6M2T2R

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
EM6M2T2R
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 200mA 150mW 表面贴装型 EMT6
规格说明书:
EM6M2T2R说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1 欧姆 @ 200mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 25pF @ 10V
功率 - 最大值 150mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 EMT6
标准包装 8,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage ¥3.07000 类似

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标准包装
8,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3.741608 ¥3.74
10+ ¥3.208252 ¥32.08
100+ ¥2.398381 ¥239.84
500+ ¥1.884473 ¥942.24
1000+ ¥1.456175 ¥1456.17
2000+ ¥1.327693 ¥2655.39
8000+ ¥1.242031 ¥9936.25
16000+ ¥1.168061 ¥18688.98

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