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SSM6L35FU(TE85L,F)
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- 制造商编号：
- SSM6L35FU(TE85L,F)
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 180mA，100mA 200mW 表面贴装型 US6
- 规格说明书：
- SSM6L35FU(TE85L,F)说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180mA，100mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 50mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9.5pF @ 3V |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | US6 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| VT6M1T2CR | Rohm Semiconductor | ¥2.84000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 3000+ | ￥0.814658 | ￥2443.97 |
