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ISL2101AABZ

Renesas photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
ISL2101AABZ
制造商:
Renesas瑞萨
系列:
-
描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
详细描述:
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
规格说明书:
ISL2101AABZ说明书
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
在线客服:
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服务:
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规格参数

属性 属性值
制造商 Renesas(瑞萨)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
驱动配置 半桥
通道类型 独立式
驱动器数 2
栅极类型 N 沟道 MOSFET
电压 - 供电 9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL,VIH 1.4V,2.2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 2A,2A
输入类型 非反相
高压侧电压 - 最大值(自举) 114 V
上升/下降时间(典型值) 10ns,10ns
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 980

文档与视频信息

属性 属性值
规格书 ISL2100-01A
PCN 组装/来源 Alternate Manufacturing Site 05/Feb/2014
PCN 封装 Label Change-All Devices 01/Dec/2022
EDA 模型 ISL2101AABZ by Ultra Librarian

价格库存

库存
1034
货期
大陆:7~10天
标准包装
980 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥34.138807 ¥34.14
10+ ¥30.699849 ¥307.00
25+ ¥29.02038 ¥725.51
100+ ¥25.150327 ¥2515.03
250+ ¥23.860917 ¥5965.23
500+ ¥21.410218 ¥10705.11
1000+ ¥20.320022 ¥20320.02

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