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GT52N10D5

Goford Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
GT52N10D5
制造商:
Goford Semiconductor
系列:
-
描述:
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 71A(Tc) 79W(Tc) 8-DFN(5.2x5.86)
规格说明书:
GT52N10D5说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Goford Semiconductor
系列 -
封装/外壳 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 71A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 44.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2626 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 79W(Tc)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-DFN(5.2x5.86)
标准包装 5,000

价格库存

库存
14080
货期
大陆:7~10天
标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥13.110839 ¥13.11
10+ ¥11.743986 ¥117.44
100+ ¥9.158119 ¥915.81
500+ ¥7.56537 ¥3782.68
1000+ ¥5.972661 ¥5972.66
2000+ ¥5.574489 ¥11148.98
5000+ ¥5.430818 ¥27154.09

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