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DS1230Y-70IND+

ADI photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
DS1230Y-70IND+
制造商:
ADI亚德诺
系列:
-
描述:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
详细描述:
NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb(32K x 8) 并联 70 ns 28-EDIP
规格说明书:
DS1230Y-70IND+说明书
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0041
在线客服:
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服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 ADI(亚德诺)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
存储器类型 非易失
存储器格式 NVSRAM
技术 NVSRAM(非易失性 SRAM)
存储容量 256Kb(32K x 8)
存储器接口 并联
写周期时间 - 字,页 70ns
访问时间 70 ns
电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 通孔
封装/外壳 28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商器件封装 28-EDIP
标准包装 12

文档与视频信息

属性 属性值
规格书 DS1230Y, AB
制造商应用说明 Lithium Battery Content in Maxim Products
环保信息 Maxim Integrated REACH
EDA 模型 DS1230Y-70IND+ by SnapEDA

价格库存

库存
1795
货期
大陆:7~10天
标准包装
12 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥243.884446 ¥243.88
10+ ¥229.366049 ¥2293.66
25+ ¥221.40823 ¥5535.21
50+ ¥214.406526 ¥10720.33
100+ ¥205.895875 ¥20589.59

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