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DMZ6005E

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制造商编号:
DMZ6005E
制造商:
ARK方舟微)
系列:
*
描述:
耗尽型MOSFET
详细描述:
规格说明书:
DMZ6005E说明书
在线客服:
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规格参数

属性 属性值
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id) 20mA
功率(Pd) 500mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 50Ω@0V,3mA
栅极电荷(Qg@Vgs) 1.55nC@±5V
输入电容(Ciss@Vds) 12.3pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) 1.8pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

价格库存

库存
100
货期
大陆: 1~3天
包装
编带
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥0.520057 ¥0.52
10+ ¥0.420057 ¥4.20
30+ ¥0.370057 ¥11.10
100+ ¥0.332557 ¥33.26
500+ ¥0.302557 ¥151.28
1000+ ¥0.287557 ¥287.56

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