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STGWA30IH65DF

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制造商编号:
STGWA30IH65DF
制造商:
ST意法半导体
系列:
IH
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 180 W 通孔 TO-247 长引线
规格说明书:
STGWA30IH65DF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 IH
封装/外壳 TO-247-3
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.05V @ 15V,30A
功率 - 最大值 180 W
开关能量 123µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 80 nC
25°C 时 Td(开/关)值 -/200ns
测试条件 400V,30A,22 欧姆,15V
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247 长引线
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥22.895804 ¥22.90
10+ ¥20.527133 ¥205.27
100+ ¥16.82071 ¥1682.07
500+ ¥14.319247 ¥7159.62
1000+ ¥14.241149 ¥14241.15

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