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IGN1011L70
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- 制造商编号：
- IGN1011L70
- 制造商：
- Integra
- 系列：
- -
- 描述：
- GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
- 详细描述：
- RF Mosfet GaN HEMT 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2
- 规格说明书：
- IGN1011L70说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Integra |
| 系列 | - |
| 封装/外壳 | PL32A2 |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| 晶体管类型 | GaN HEMT |
| 频率 | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| 增益 | 22dB |
| 电压 - 测试 | 50 V |
| 额定电流（安培） | - |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 22 mA |
| 功率 - 输出 | 80W |
| 电压 - 额定 | 120 V |
| 供应商器件封装 | PL32A2 |
| 标准包装 | 15 |
价格库存
- 库存
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- 标准包装
- 15 / PCS
- 包装
- 散装
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1728.795431 | ￥1728.80 |
