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AP18N20D-H

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制造商编号:
AP18N20D-H
制造商:
APM永源微电子
系列:
*
描述:
AP18N20D-H
详细描述:
规格说明书:
AP18N20D-H说明书
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规格参数

属性 属性值
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 200V
连续漏极电流(Id) 18A
功率(Pd) 104W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 120mΩ@10V,9A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.6V@250μA
栅极电荷(Qg@Vgs) 41nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 1.318nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) 75pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

价格库存

库存
15
货期
大陆: 1~3天
包装
编带
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥2.52 ¥2.52
10+ ¥2.08 ¥20.80
30+ ¥1.89 ¥56.70
100+ ¥1.7 ¥170.00
500+ ¥1.57 ¥785.00
1000+ ¥1.5 ¥1500.00

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