您好,欢迎来到壹方微芯!

EM639165BM-5H

Etron photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
EM639165BM-5H
制造商:
Etron钰创
系列:
-
描述:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54FBGA
详细描述:
SDRAM 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 200 MHz 4.5 ns 54-FBGA(8x8)
规格说明书:
EM639165BM-5H说明书
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0002
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Etron(钰创)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM
存储容量 128Mb(8M x 16)
存储器接口 并联
时钟频率 200 MHz
写周期时间 - 字,页 10ns
访问时间 4.5 ns
电压 - 供电 3V ~ 3.6V
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 54-TFBGA
供应商器件封装 54-FBGA(8x8)
标准包装 2,500

文档与视频信息

属性 属性值
规格书 EM639165 Commerical
环保信息 Etron RoHS

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
AS4C8M16SA-7BCN Alliance Memory, Inc. ¥39.99000 类似
AS4C8M16SA-6BINTR Alliance Memory, Inc. ¥43.72000 类似
AS4C8M16SA-6BAN Alliance Memory, Inc. ¥46.34000 类似

价格库存

库存
货期
大陆:7~10天
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2500+ ¥14.641806 ¥36604.51

相关产品