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G33N03D3

Goford Semiconductor photo

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制造商编号:
G33N03D3
制造商:
Goford Semiconductor
系列:
-
描述:
N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 33A(Tc) 20W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(3x3)
规格说明书:
G33N03D3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Goford Semiconductor
系列 -
封装/外壳 8-PowerVDFN
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 33A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 12 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1938pF @ 15V
功率 - 最大值 20W(Tc)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-DFN(3x3)
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.834266 ¥6.83
10+ ¥5.984545 ¥59.85
100+ ¥4.589098 ¥458.91
500+ ¥3.627839 ¥1813.92
1000+ ¥2.902271 ¥2902.27
2000+ ¥2.630188 ¥5260.38
5000+ ¥2.474045 ¥12370.22

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