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APT68GA60LD40
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- 制造商编号：
- APT68GA60LD40
- 制造商：
- Microchip微芯
- 系列：
- POWER MOS 8™
- 描述：
- IGBT 600V 121A 520W TO-264
- 详细描述：
- IGBT PT 600 V 121 A 520 W 通孔 TO-264 [L]
- 规格说明书：
- APT68GA60LD40说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip(微芯) |
| 系列 | POWER MOS 8™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 121 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 202 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.5V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值 | 520 W |
| 开关能量 | 715µJ（开），607µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 198 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 21ns/133ns |
| 测试条件 | 400V，40A，4.7 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 22 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商器件封装 | TO-264 [L] |
| 标准包装 | 1 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RJH60D7BDPQ-E0#T2 | Renesas Electronics America Inc | ¥47.00000 | 类似 |
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|---|---|---|
| 50+ | ￥80.065957 | ￥4003.30 |
