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GS66516T-E02-MR

GaN Systems photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
GS66516T-E02-MR
制造商:
GaN Systems
系列:
GS66516x
描述:
MOSFET 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooling
详细描述:
规格说明书:
GS66516T-E02-MR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 GaN Systems
产品种类 MOSFET
技术 GaN
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 GaNPX-4
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 650 V
Id-连续漏极电流 60 A
Rds On-漏源导通电阻 25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压 - 10 V, + 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压 1.3 V
Qg-栅极电荷 12 nC
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
通道模式 Enhancement
封装 Reel
商标 GaN Systems
配置 Single
高度 0.54 mm
长度 9 mm
湿度敏感性 Yes
产品 MOSFET
产品类型 MOSFET
系列 GS66516x
子类别 MOSFETs
晶体管类型 1 N-Channel
宽度 7.6 mm
标准包装 250

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
250 / PCS
包装
Reel
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
250+ ¥258.951745 ¥64737.94

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