GS66516T-E02-MR
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- 制造商编号:
- GS66516T-E02-MR
- 制造商:
- GaN Systems
- 系列:
- GS66516x
- 描述:
- MOSFET 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooling
- 详细描述:
- 规格说明书:
- GS66516T-E02-MR说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | GaN Systems |
产品种类 | MOSFET |
技术 | GaN |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | GaNPX-4 |
晶体管极性 | N-Channel |
通道数量 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | - 10 V, + 7 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.3 V |
Qg-栅极电荷 | 12 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
通道模式 | Enhancement |
封装 | Reel |
商标 | GaN Systems |
配置 | Single |
高度 | 0.54 mm |
长度 | 9 mm |
湿度敏感性 | Yes |
产品 | MOSFET |
产品类型 | MOSFET |
系列 | GS66516x |
子类别 | MOSFETs |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 7.6 mm |
标准包装 | 250 |
价格库存
- 库存
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- 标准包装
- 250 / PCS
- 包装
- Reel
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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250+ | ¥258.951745 | ¥64737.94 |