您好,欢迎来到壹方微芯!

NVMD6N03R2G

ON photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
NVMD6N03R2G
制造商:
ON安森美
系列:
Automotive, AEC-Q101
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 6A 1.29W 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
NVMD6N03R2G说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 32 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 950pF @ 24V
功率 - 最大值 1.29W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 2,500

价格库存

库存
4915
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
暂无报价

相关产品