NVMD6N03R2G
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- 制造商编号:
- NVMD6N03R2G
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- Automotive, AEC-Q101
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 6A 1.29W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书:
- NVMD6N03R2G说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 32 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 30nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 950pF @ 24V |
功率 - 最大值 | 1.29W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 4915
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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