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FS75R07U1E4BPSA1

Infineon photo

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制造商编号:
FS75R07U1E4BPSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
IGBT MOD 650V 100A 275W
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 650 V 100 A 275 W 底座安装 模块
规格说明书:
FS75R07U1E4BPSA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 托盘
零件状态 不适用于新设计
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 全桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 A
功率 - 最大值 275 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.95V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值) 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 4.6 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
30 / PCS
包装
托盘
单价:¥1077.118926 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
30+ ¥1077.118926 ¥32313.57

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