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RGT30NS65DGC9

Rohm Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
RGT30NS65DGC9
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
IGBT
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 133 W 通孔 TO-262
规格说明书:
RGT30NS65DGC9说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,15A
功率 - 最大值 133 W
开关能量 -
输入类型 标准
栅极电荷 32 nC
25°C 时 Td(开/关)值 18ns/64ns
测试条件 400V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 55 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装 TO-262
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
管件
单价:¥12.303303 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥25.687756 ¥25.69
10+ ¥23.040649 ¥230.41
100+ ¥18.51943 ¥1851.94
500+ ¥15.215034 ¥7607.52
1000+ ¥12.606757 ¥12606.76
2000+ ¥12.303303 ¥24606.61

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