SI4963BDY-T1-E3
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- 制造商编号:
- SI4963BDY-T1-E3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 4.9A 1.1W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书:
- SI4963BDY-T1-E3说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.9A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 32 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 21nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - |
功率 - 最大值 | 1.1W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
NVMD6P02R2G | onsemi | ¥4.01372 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥6.858183 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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1+ | ¥15.08192 | ¥15.08 |
10+ | ¥13.491667 | ¥134.92 |
100+ | ¥10.515816 | ¥1051.58 |
500+ | ¥8.687087 | ¥4343.54 |
1000+ | ¥6.858146 | ¥6858.15 |
2500+ | ¥6.858183 | ¥17145.46 |