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SI4963BDY-T1-E3

Vishay photo

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制造商编号:
SI4963BDY-T1-E3
制造商:
Vishay威世
系列:
-
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 4.9A 1.1W 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
SI4963BDY-T1-E3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 32 毫欧 @ 6.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 1.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
NVMD6P02R2G onsemi ¥4.01372 类似

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货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥6.858183 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥15.08192 ¥15.08
10+ ¥13.491667 ¥134.92
100+ ¥10.515816 ¥1051.58
500+ ¥8.687087 ¥4343.54
1000+ ¥6.858146 ¥6858.15
2500+ ¥6.858183 ¥17145.46

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