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IRF7316TRPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRF7316TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 4.9A 2W 表面贴装型 8-SO
规格说明书:
IRF7316TRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 58 毫欧 @ 4.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 710pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥5.740816 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥11.364283 ¥11.36
10+ ¥10.15947 ¥101.59
100+ ¥7.922795 ¥792.28
500+ ¥6.544459 ¥3272.23
1000+ ¥5.740816 ¥5740.82
4000+ ¥5.740816 ¥22963.26

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