SIA517DJ-T1-GE3
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- 制造商编号:
- SIA517DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 12V 4.5A 6.5W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双
- 规格说明书:
- SIA517DJ-T1-GE3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 12V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 29 毫欧 @ 5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 500pF @ 6V |
功率 - 最大值 | 6.5W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥2.205802 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥6.403289 | ¥6.40 |
10+ | ¥5.519262 | ¥55.19 |
100+ | ¥4.117501 | ¥411.75 |
500+ | ¥3.235165 | ¥1617.58 |
1000+ | ¥2.499906 | ¥2499.91 |
3000+ | ¥2.279334 | ¥6838.00 |
6000+ | ¥2.205802 | ¥13234.81 |