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SIA517DJ-T1-GE3

Vishay photo

图像仅供参考

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制造商编号:
SIA517DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 12V 4.5A 6.5W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双
规格说明书:
SIA517DJ-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 500pF @ 6V
功率 - 最大值 6.5W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 双
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.205802 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.403289 ¥6.40
10+ ¥5.519262 ¥55.19
100+ ¥4.117501 ¥411.75
500+ ¥3.235165 ¥1617.58
1000+ ¥2.499906 ¥2499.91
3000+ ¥2.279334 ¥6838.00
6000+ ¥2.205802 ¥13234.81

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