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GSID100A120T2C1

SemiQ photo

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制造商编号:
GSID100A120T2C1
制造商:
SemiQ
系列:
Amp+™
描述:
IGBT MOD 1200V 200A 640W
详细描述:
IGBT 模块 - 三相反相器 1200 V 200 A 640 W 底座安装 模块
规格说明书:
GSID100A120T2C1说明书
在线客服:
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服务:
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规格参数

属性 属性值
制造商 SemiQ
系列 Amp+™
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 -
配置 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 A
功率 - 最大值 640 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值) 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 13.7 nF @ 25 V
输入 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 3

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
6+ ¥1048.50592 ¥6291.04

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