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STP13NM60ND
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- 制造商编号：
- STP13NM60ND
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- FDmesh™ II
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 11A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 11A（Tc） 109W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP13NM60ND说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | FDmesh™ II |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 845 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 109W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 71
- 货期
- 大陆：7~10天
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥36.498317 | ￥36.50 |
| 10+ | ￥32.774395 | ￥327.74 |
| 100+ | ￥26.851226 | ￥2685.12 |
| 500+ | ￥22.857567 | ￥11428.78 |
| 1000+ | ￥21.906206 | ￥21906.21 |
