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APTGT50A120T1G

Microchip photo

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制造商编号:
APTGT50A120T1G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP1
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 75 A 277 W 底座安装 SP1
规格说明书:
APTGT50A120T1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 75 A
功率 - 最大值 277 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值) 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 3.6 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP1
供应商器件封装 SP1
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥554.146348 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
16+ ¥554.146348 ¥8866.34

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