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SI2301CDS-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SI2301CDS-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
详细描述:
表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A(Tc) 860mW(Ta),1.6W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
规格说明书:
SI2301CDS-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 405 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 860mW(Ta),1.6W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装 3,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
SI2301-TP Micro Commercial Co ¥3.69000 类似
PMV65XP,215 Nexperia USA Inc. ¥3.61000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.035468 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3.916575 ¥3.92
10+ ¥3.141963 ¥31.42
100+ ¥2.137952 ¥213.80
500+ ¥1.603259 ¥801.63
1000+ ¥1.2025 ¥1202.50
3000+ ¥1.102261 ¥3306.78
6000+ ¥1.035468 ¥6212.81

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