SI2301CDS-T1-GE3
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- 制造商编号:
- SI2301CDS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A(Tc) 860mW(Ta),1.6W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
- 规格说明书:
- SI2301CDS-T1-GE3说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 405 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 860mW(Ta),1.6W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
SI2301-TP | Micro Commercial Co | ¥3.69000 | 类似 |
PMV65XP,215 | Nexperia USA Inc. | ¥3.61000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥1.035468 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥3.916575 | ¥3.92 |
10+ | ¥3.141963 | ¥31.42 |
100+ | ¥2.137952 | ¥213.80 |
500+ | ¥1.603259 | ¥801.63 |
1000+ | ¥1.2025 | ¥1202.50 |
3000+ | ¥1.102261 | ¥3306.78 |
6000+ | ¥1.035468 | ¥6212.81 |