您好,欢迎来到壹方微芯!

FF200R17KE3HOSA1

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
FF200R17KE3HOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
C
描述:
IGBT MOD 1700V 310A 1250W
详细描述:
IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1700 V 310 A 1250 W 底座安装 模块
规格说明书:
FF200R17KE3HOSA1说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 C
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 310 A
功率 - 最大值 1250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.45V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值) 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 18 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 10

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
10 / PCS
包装
散装
单价:¥1768.265025 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥1768.265025 ¥1768.27

相关产品