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IRF7311TRPBF

Infineon photo

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制造商编号:
IRF7311TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 6.6A 2W 表面贴装型 8-SO
规格说明书:
IRF7311TRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 900pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
标准包装 4,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IRF7401TRPBF Infineon Technologies ¥8.14000 MFR Recommended

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥5.797848 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥11.463752 ¥11.46
10+ ¥10.265155 ¥102.65
100+ ¥8.000629 ¥800.06
500+ ¥6.609462 ¥3304.73
1000+ ¥5.797848 ¥5797.85
4000+ ¥5.797848 ¥23191.39

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