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NTZD5110NT1G

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制造商编号:
NTZD5110NT1G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 294mA 250mW 表面贴装型 SOT-563
规格说明书:
NTZD5110NT1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 294mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 24.5pF @ 20V
功率 - 最大值 250mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0.816003 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3.916575 ¥3.92
10+ ¥2.931836 ¥29.32
100+ ¥1.823756 ¥182.38
500+ ¥1.248007 ¥624.00
1000+ ¥0.960008 ¥960.01
2000+ ¥0.864009 ¥1728.02
4000+ ¥0.863996 ¥3455.98
8000+ ¥0.816003 ¥6528.02

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