在线客服 
品牌简介
晶群科技有限公司Gem-micro semiconductor Inc.成立于2006年3月主要致力于类比半导体技术应用研发营销，自始启用8英吋0.18微米高密度垂直沟槽式设计。 应用于金属氧化物场效应晶体管MOSFET迄今已发行超过100种低压MOSFET规格产品；此外类比IC技术亦展现于锂电池保护IC、LED恒流户内外显示屏幕、恒流照明等市场应用。营销于各大型制造商，如鸿海集团、金仁宝集团、海尔集团、海信集团、飞毛腿集团及兴能电等。
品牌列表
| 型号 | 描述 | 价格梯度 | 内地交货（含税） | 库存 | 交货地 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GC2120F | 1+ 10+ 30+ | ￥0.748000 ￥0.608000 ￥0.548000 | 3000 | 大陆： 1~3天 | ||
| GC2111D | 1+ 10+ 30+ | ￥0.258700 ￥0.206700 ￥0.180700 | 2990 | 大陆： 1~3天 | ||
| GC5019 | 1+ 10+ 30+ | ￥0.272632 ￥0.217832 ￥0.190432 | 1410 | 大陆： 1~3天 | ||
| GC5018 | 1+ 10+ 30+ | ￥0.268662 ￥0.214660 ￥0.187659 | 870 | 大陆： 1~3天 | ||
| P沟道 20V 2.8A | 1+ 10+ 30+ | ￥0.258423 ￥0.210423 ￥0.186423 | 9000 | 大陆： 1~3天 | ||
| 4.3A 30V P沟道 | 1+ 10+ 30+ | ￥0.258700 ￥0.206700 ￥0.180700 | 4040 | 大陆： 1~3天 | ||
| N沟道 37A 30V | 1+ 10+ 30+ | ￥0.841500 ￥0.684000 ￥0.616500 | 3744 | 大陆： 1~3天 | ||
| P沟道 30V 12A | 1+ 10+ 30+ | ￥1.030000 ￥0.848000 ￥0.770000 | 3670 | 大陆： 1~3天 | ||
| GR2260 | 1+ 10+ 30+ | ￥0.517400 ￥0.413400 ￥0.361400 | 3450 | 大陆： 1~3天 | ||
| 双N沟道(共漏) 7A 20V | 1+ 10+ 30+ | ￥0.597000 ￥0.477000 ￥0.417000 | 3190 | 大陆： 1~3天 | ||
| 20V 8A N沟道 | 1+ 10+ 30+ | ￥0.537300 ￥0.429300 ￥0.375300 | 2805 | 大陆： 1~3天 | ||
| 40V 18A N沟道 | 1+ 10+ 30+ | ￥0.897600 ￥0.729600 ￥0.657600 | 2500 | 大陆： 1~3天 | ||
| 2个N沟道 10A 30V | 1+ 10+ 30+ | ￥0.935000 ￥0.760000 ￥0.685000 | 2296 | 大陆： 1~3天 | ||
| 20A 100V N沟道 | 1+ 10+ 30+ | ￥1.485500 ￥1.223000 ￥1.110500 | 2262 | 大陆： 1~3天 | ||
| 4.2A 20V P沟道 | 1+ 10+ 30+ | ￥0.278600 ￥0.222600 ￥0.194600 | 2240 | 大陆： 1~3天 | ||
| GM8820E | 1+ 10+ 30+ | ￥0.537300 ￥0.429300 ￥0.375300 | 2115 | 大陆： 1~3天 | ||
| 6A 20V 双N沟道(共漏) | 1+ 10+ 30+ | ￥0.358200 ￥0.286200 ￥0.250200 | 2030 | 大陆： 1~3天 | ||
| N沟道 20V 6A | 1+ 10+ 30+ | ￥0.457700 ￥0.365700 ￥0.319700 | 2025 | 大陆： 1~3天 | ||
| N沟道 60V 0.5A | 1+ 10+ 30+ | ￥0.147700 ￥0.116200 ￥0.098700 | 1940 | 大陆： 1~3天 | ||
| GS4435 | 1+ 10+ 30+ | ￥0.745100 ￥0.605100 ￥0.545100 | 1710 | 大陆： 1~3天 | ||